在半导体器件中制造精细图案的方法技术资料下载

技术编号:7232770

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本发明涉及一种制造半导体器件的方法,更具体而言,涉及一种在 半导体器件中制造精细图案的方法。背景技术当形成100nm或更小的精细图案时,非晶碳用作硬掩模堆叠结构的 一部分,该硬掩模堆叠结构用于使N沟道金属氧化物半导体场效晶体管 (NMOSFET)器件进行图案化。该技术允许更容易地图案化,且表现 出比氧化硅(Si02)层、氮化硅(Si3N4)层以及氧氮化硅(SiON)层 的典型覆盖或保护材料更好的选择性。然而,与使用多晶硅层作为硬掩模相比,使用非晶碳作为硬掩...
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