技术编号:7232776
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光电,尤其是提供一种P型氮化镓的表面处理方法。技术背景GaN基光电器件由于具有其波长短,发光效率高等优点,在光电领域中正 发挥着越来越重要的作用;同时GaN材料在电子器件,比如金属-半导体场效 应管,高迁移率晶体管中也受到越来越多的关注。然而GaN基材料的发展也面 临着一些困难,其中之一就是p型掺杂的问题。P型GaN中掺入的Mg在生长过程 中与H结合成^t因而不能起到受主作用。热退火可以解除Mg-时建,但热退火 后通常也只会有1%-0. 1。/n...
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