技术编号：7233267
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种垂直式场效晶体管，尤其涉及一种可增加载波信道长度及宽度的垂 直式场效晶体管。背景技术图1例示 一 常规的金属氧化物半导体场效晶体管10(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET)。所述晶体管10是相当重要的一种基本电子元件，其包含一 衬底12、 一栅极氧化层14、 一金属导电层16 (作为晶体管的栅极)、两个设置于所述衬底 12内的掺杂区18 (作为晶体管的漏极与源极)...
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