技术编号:7233418
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,更具体地说,涉及使用电阻相变的电阻切换式随机存取内存(resistance switching random access memory, ReRAM很术。背景技术一般而言,半导体存储器件包括连接成电路的多个存储单元。 一种示例性的半导体存储器件是动态随机存取存储器(dyn am i c random access memory, DRAM)。典型的DRAM单位存储单元是由 一个开关和一个电容器所构成,提供例如高集成度和快速操作等优 占。然而,...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。