技术编号:7233453
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电容器。背景技术的描述图1示意了常规的并行金属-绝缘体-金属(MIM )电容器100的 结构,它的第一和第二MIM电容器110和120并行连接。如图1所示,常规的并行MIM电容器100具有简单的结构,但是, 因为低电容密度,当它使用在需要高电容的电路中时,它具有缺点,整 个电路的体积增加。作为该问题的解决方案,提供一种串行金属氧化物半导体(MOS) 电容器。图2示意了常规的串行金属-氧化物-半导体(MOS )电容器200 的结构,其第一和第二 M...
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