技术编号:7233594
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及CMOS制程中SONOS结构(Silicon—Oxide-Ntride -Oxide -Silicon)的腐蚀工艺,特别是存储器单元中超薄的ONO结构。本发明可以降低 超薄SONOS结构腐蚀工艺中的损伤,且技术简单,适用于基于SONOS结构的 存储器工艺制程。 背景技术纵观存储器工艺制程的发展,存储单元尺寸越来越小,擦写电压越来越低, 而对器件的耐久性和电荷保持性要求却越来越高。越来越多的存储器产^选择 SONOS结构,艮卩Silicon—Oxi...
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