技术编号:7233617
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体结构及其制造方法。更加具体地,本发明涉及单或双镶嵌型的互连结构,其中采用了抗氧化贵金属籽晶层。本发明同样涉及制造此半导体结构的方法。背景技术 通常,半导体器件包括多个形成在半导体衬底上制造的集成电路的电路。一般将布局信号路径的复杂网络,以连接衬底表面上分布的电路元件。通过器件的这些信号的有效布局需要形成多级或多层图案,例如,单或双镶嵌布线结构。布线结构通常包括铜(Cu),这是因为基于Cu的互连相对于基于铝(Al)的互连能够在复杂半导体芯片上...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。