技术编号:7233781
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,且特别涉及一种适于线宽小于0.3微米的半导体元件的。 背景技术随着半导体工艺技术的持续进步,半导体集成电路的线宽也随着持续缩 小,使得半导体元件对于栅氧化层厚度的敏感度也随之提升。请参考图1A-1F,其绘示现有浅沟渠隔离结构的制造流程剖面结构示意 图。在图1A中,先在衬底100之上依序形成垫氧化层105与氮化硅层110。 然后对氮化硅层110、垫氧化层105与衬底100进行光刻蚀刻的步骤,在衬 底100中形成沟渠115。在图IB中,以热磷酸...
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