技术编号:7233860
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置的结构及其制造方法,特别涉及装载有具有各种厚度的栅极绝缘膜的金属绝缘体半导体场效应晶体管(MISFET Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor)的半导体装置 及其制造方法。背景技术近年来,随着半导体集成电路装置的高集成化、高性能化及高速化的 发展,正在对金属绝缘体半导体场效应晶体管(以下,称为金属绝缘体半导 体晶体管)的栅极绝缘膜进行縮放比例(scaling)。但由...
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