技术编号:7233973
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种氮化镓系基板的制造方法,特别是涉及一种厚度不小500 u m的高质量氮化镓系基板的制造方法。 背景技术目前用于磊晶成长氮化镓系材料(gallium nitride-based)的发 光二极管所用的氮化镓系基板, 一般是利用磊晶基板磊晶成长后,再 配合激光剥离(Laser Lift-Off)技术所制作。参阅图l,目前氮化镓系基板10的制作过程,是先选用例如碳化 硅(SiC)或蓝宝石(a-Al203)等晶格常数与氮化镓系材料相匹配的 材料所构成的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。