技术编号:7233979
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种利用铟掺杂技术提高氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管 (HEMT)或氮化镓基异质结场效应晶体管(HFET)材料与器件性能的方法,属于GaN 基晶体管材料生长与器件制作领域。背景4支术由于宽的带隙和内在的电子极性使AlGaN/GaN基高电子迁移率晶体管 (HEMT)等微波器件具有高功率密度、高频率和高击穿电压等性质。自第一只 AlGaN/GaN基高电子迁移率晶体管问世以来,在材料生长和器件制作方面都取得 了巨大的进步。GaN HEMT材料的结...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。