技术编号:7234176
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种通过使用等离子体对由蚀刻掩模限定的结构进行 完全地蚀刻从而荻得半导体晶片上的结构的方法。背景技术在半导体等离子体蚀刻的应用中,通常使用等离子体蚀刻器将光致 抗蚀剂掩模图形转变成硅晶片上的所需薄膜和/或叠层膜(导体或介电绝 缘体)上的电路和线路图形。这是通过蚀刻去掉掩模图案开口区域光致 抗蚀剂材料下面的薄膜(及叠层膜)实现的。激发真空壳体(也称作反 应室)内包含的反应混合物产生放电,由此生成的化学活性物质和带电 粒子(离子)引起蚀刻反应。另外,...
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