技术编号:7234309
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及肖特基二极管的原型器件。背景技术肖特基二极管是利用金属和半导体之间接触势垒进行工作的一种多数载流子器件。传统的肖特基二极管反向特性较差,用于制作肖特基二极管原型器件的最常用材料是Si,SiC,金刚石。Si材料不适合在高温下工作,不宜作为大功率与抗辐射器件。SiC,金刚石价格昂贵,生长温度高(>1000℃)。发明内容本实用新型的目的是提供一种适合在高温,强辐射条件下使用的肖特基二极管原型器件。本实用新型的肖特基二极管原型器件是在衬底上自下而上依...
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