技术编号：7234707
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及其结构为对膜面沿垂直方向通电的磁阻效应元件、以及采用该元件的磁头、 磁记录再生装置及磁性存储器。背景技术由于磁性体的层叠结构体的巨磁阻效应(Giant MagnetoResistive Effect GMR)的 发现，磁性器件的性能得以飞跃的提高。尤其是，自旋阀膜(Spin—Valve SV膜)具有 能方便地用于磁性器件的结构，能充分有效地发挥GMR效果，所以对磁头及MR細(磁随机 存取存储器)等磁性器件带来极大的技术进步。所谓"自旋阀膜"是指一...
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