技术编号:7234872
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及选择性制造p-型III族氮化物半导体的方法,并且涉 及制造p-型III族氮化物半导体的电极的方法。这些方法实现了优异 的可靠性和可再现性。背景技术近年来,III族氮化物半导体不仅作为用于形成发光元件的材料, 而且作为用于形成下一代功率器件的半导体而受到关注。这是因为 III族氮化物半导体的击穿电场比硅的击穿电场大一个数量级。为了实现耐高电压的功率器件, 一般地,从耐电压和强电流操 作的角度考虑,垂直结构比横向结构更有利。日本专利申请特许公开No....
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。