技术编号：7234915
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。高速沉积微晶硅太阳电池P/I界面的处理方法本发明涉及硅基薄膜太阳电池制备工艺，尤其是一种有助于提高高速沉积微 晶硅太阳电池效率的微晶硅太阳电池P/I界面的处理方法。背景技术硅基薄膜太阳电池中，微晶硅(化-SiH)薄膜太阳电池因其具有高转换效率 和高稳定性备受光伏产业界的青睐。微晶硅SiH)是一种间接带隙半导体材 料，光学带隙为l.leV左右，为了充分的吸收太阳光需要薄膜厚度大于lum。因 此提高生长速率对于微晶硅薄膜光伏电池生产成本的降低至关重要。很多研究...
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