技术编号：7234923
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及多晶硅薄膜材料的制备。通过采用镍硅混合物溅射 靶，在氩、氧混合气体中等离子M"形成低镍^M化镍、氧化硅薄膜作为金属诱导横向晶化诱 导源，然后退火晶化形成多晶硅薄膜材料。背景技术获得高质量的液晶、有机发光二极管等平板显示器，必须使用有源驱动技术。有源显示去除了显示信号串扰的影响，提高了显示器的分辨率和彩色质量。 而有源显示基板的关键技术是薄膜晶体管技术。现在的有源矩阵显示器所采用的主要为非晶硅薄膜晶体管技术，其主要优点是 工艺成熟并相对简单，成品率...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。