技术编号:7234926
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种进行屯极剥离的方法。本发明采用氮化針和一氧化硅组成的双层膜技 术,利W氮化硅与二氧化硅A缓冲—氧化硅腐蚀液(B0E)中腐蚀选择比高的特点,形成钻蚀 (undercut)结构,可以进行金属的溅射剥离,实现电极的制作。属丁光通信和半导体领域。技术背景'ii极制作是有源器件制作过程中必不可少的一步i艺。只要器件需要加电,就需要进行 屯极的制作。半导体工艺中制作电极一般有两种方法。即化学腐蚀和剥离技术。 腐蚀是较早采用的方法。进行金属腐蚀一是要求待腐...
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