技术编号:7235055
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件技术,尤其涉及彼此电隔离且与它们形成于其中 的衬底电隔离的互补金属氧化物硅(MOS)器件。背景技术在互补MOS ( CMOS )器件的发展过程中,人们一直在努力将更多的器 件装入一定面积的半导体晶片中。图l-5示出了这一发展中的几个阶段。图1A示出了标准CM0S结构,其通常用在形体尺寸1.2lim或更大的 器件中。CMOS 10包括P沟道MOSFET 10a和N沟道MOSFET 10b,且形 成在P衬底11中。典型地,在P衬底11中形成...
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