技术编号:7235073
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种磁阻效应器件以及一种使用它的磁性随机存取存 储器,例如使用自旋注入写入方案的磁阻效应器件。背景技术近年来,已经提出信息基于新原理而记录于其上的许多固态存储 器。在固态存储器中,作为固态磁性存储器,使用隧道磁阻(TMR)的磁阻随机存取存储器(MRAM)是已知的。MRAM使 用发挥磁阻效应的磁阻(MR)器件作为存储单元,依赖于MR元件 的磁化状态将信息存储在存储单元中。MR元件包括具有可变磁化的层和具有固定磁化的层。当可变磁 化层的磁化方向与固定...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。