技术编号:7235263
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要是披露一种光电元件,更特别地是提供具有雾化层的基 底,以改变基底的晶格结构并且可以增加整个光电元件的光电效率。背景技术为了改善氮化镓化合物层的结晶品质,必需解决在蓝宝石(sapphire) 与做为发光层的氮化镓化合物层之间的晶格匹配的问题。因此,在公知技 术中,例如美国专利公告号5,122,845(如图1所示)是在基底100与氮化镓 层102之间形成以氮化铝(AlN)为主的缓冲层(buffer layer)101,且此缓冲层 101的结晶结构是以...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。