非易失性存储元件以及其制造方法技术资料下载

技术编号:7235399

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本发明涉及电阻变化型的。 背景技术近年,提出有使用了电阻变化材料作为存储材料的电阻变化型的非易失性存储元件,该电阻变化材料由与化学计量组成的过渡金属氧化物相比氧含量不足的过渡金属氧化物构成。这样的非易失性存储元件具有上部电极层、下部电极层、以及被上部电极层和下部电极层所夹持的电阻变化层。通过向上部电极层以及下部电极层之间施加电脉冲,使电阻变化层的电阻值可逆地变化。因此,通过使信息与该电阻值对应,能够对该信息非易失地存储(例如、专利文献1)。期待这样的电阻变...
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