技术编号:7235698
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及磁阻效应元件和磁阻式随机存取存储器。 背景技术最近几年中,已经提出了许多种基于新的原理的用于记录信息的 固态存储器。其中,利用隧道磁阻效应(以下也称作TMR效应)的作 为固态磁性存储器的磁阻式随机存取存储器(以下也称作MRAM)目 前正受到关注。所述MRAM特征在于根据每一个MTJ(磁隧道结) 元件的磁化状态来存储数据。在上述传统型MRAM中,在电流磁场(由电流流经布线线路 (wiring line)时激发的磁场)中执行写入操作,当每一个MTJ元...
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