技术编号:7235809
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体上涉及半导体发光器件,更具体地涉及一种改进为能够 抑制由于操作电压增加导致的缺陷的半导体发光器件。本发明还涉及一 种用于制造这种半导体发光器件的方法。背景技术工n族氮化物半导体激光器元件具有从紫外光到可见光的宽振荡波 长,并且引起作为适用于高密度光学存储介质的短波长光源的注意。除 了光学记录介质之外,期望in族氮化物半导体激光器元件作为诸如灯 和背光之类的可见光源。对于更宽范围的应用,发展了在改进发光输出 的同时针对氮化物半导体激光器元件的操作可...
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