技术编号:7235812
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明有关于一种半导体元件及其形成方法,特别有关于一种具有低导通电阻(on-resistance)和高击穿电压(breakdown voltage)的高压元件。技术背景一般而言,将至少一个高压晶体管与低压电路设置于同一芯片的高压集 成电路(high-voltage integrated circuits)被广泛用于许多电子应用方面。击穿电 压(breakdown voltage)和导通电阻(on-resistance, Ron)为应用于高压功率开关 电路(...
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