技术编号:7236016
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例一般地涉及太阳能电池及其形成方法和设备。更特别地, 本发明实施例涉及薄膜多结太阳能电池及其形成方法和设备。背景技术结晶硅太阳能电池和薄膜太阳能电池是两种类型的太阳能电池。典型 地,结晶硅太阳能电池用于单结晶衬底(也就是,纯净硅的单晶衬底)或多 结晶硅衬底(也就是,多晶或多晶硅)。附加膜层沉积在硅衬底上以改进光 捕获、形成电路以及保护器件。薄膜太阳能电池使用在适合的衬底上沉积的材料薄层,形成一个或多个p-n结。适合的材料衬底包括玻璃、金属和聚合 ...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。