技术编号:7236122
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。进一步地,本发 明涉及一种由本发明的方法制造的半导体器件。背景技术虽然在原理上适合于任意的集成半导体结构,但是下面的本发明以及存在的问题将相对于硅技术中的集成DRAM存储电路来进行解释。DRAM存储器件包括多个存储单元,信息以电容器中的电荷的 形式被储存在该存储单元中。通过选择晶体管来控制对于电荷的存 取(操作,access )。让人们感兴趣的事情主要在于,减少通过选择晶体管将电荷 (进而信息)储存在电容器中所需的时间。存取时间的下限由选择...
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