技术编号：7236128
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及基板处理方法和基板处理系统，和更具体地，涉及用 于从基板上去除硬掩模和沉积膜的基板处理方法，以及用于实施该基 板处理方法的基板处理系统。背景技术图7中所示的半导体片W是已知的，其具有单晶硅基板基材 (substrate base) 71，在其上以层形式形成由Si02制成的热氧化膜72， 膜73、 74和诸如BPSG (硼磷硅玻璃)膜75的氧化膜。为了在晶片W 的单晶硅基板基材71上形成孔或沟(槽)，在减压环境中使用由诸如 HBr (溴化氢)等的卤...
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