技术编号:7236150
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种非易失性存储器、及其制造方法与操作方法,且特别涉 及一种适于建构大尺寸超小型存储系统的器件、及其制造方法与操作方法。背景技术随着非易失性存储器件,特别是快闪存储器件,对于稳定度、密集度以 及可靠度需求的增加,使得许多不同的器件相继问世。目前有一种非常有用的技术可与动态随机存取存储器(DRAM)匹敌,其存储器单元可以在两种 或多种状态之间转变,其各状态具有特征阻抗准位。在状态之间转变的能力, 可以轻易转换为显示两种阻抗准位的能力,其可以轻易地等...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。