采用保护的催化剂层的碳纳米管集成电路器件及其制造方法技术资料下载

技术编号:7236260

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本发明涉及集成电路器件及其制造方法,更具体地,涉及碳纳米 管器件及其制造方法。背景技术对高度集成的半导体器件的日益增长的需求极大地减少了半导体 器件的设计规则并提高了半导体器件的工作速度。相应地,降低了互 连的线宽并且增加了互连的电流密度。因此,格外的需要具有改进的 的特性的互连材料。碳纳米管可以提供高导电性以及优异的填隙特性,并因此可能适 合在制造高度集成器件的互连和触点中使用。通常,为了采用碳纳米 管来形成互连和触点,可形成催化剂层并从催化剂层生长碳纳...
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