技术编号:7236305
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使用氮化物化合物半导体的半导体发光器件及其制造 方法。背景技术近年来,在各种中,已经普遍使用利用光的技术,并且半 导体发光器件例如GaN型蓝光LED已经被用作发光器件。虽然这种半导体发光器件可以使用光透射衬底例如由蓝宝石或碳 化硅制成的衬底,但是考虑到降低成本也可以使用硅(Si)衬底。但是, 硅衬底不能透射光。因此,从有源区发射并到达硅衬底的光不能够穿过 硅衬底,而是被吸收成为热等。因此,在从有源区发射的光中,能够提取方向向上(即,朝向硅衬 底的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。