技术编号:7236312
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于铁电存储器技术,具体涉及一种铁电存储器用铁电薄膜电 容及其制备方法。背景技术铁电存储器(FeRAM)与传统的半导体存储器相比有许多突出的优点, 具有广阔的应用前景和巨大的经济效益。以Bi4Ti30,2(BTO)为代表的含铋层 钙钛矿结构铁电薄膜有望取代含铅的PZT薄膜成为铁电存储器用材料。其 中,掺杂Nd元素的Bi4Ti30,2(BNT)铁电薄膜由于具有较高的剩余极化值、 好的抗疲劳特性等优点成为最受关注的存储器用材料之一。Di Wu[ Di W...
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