技术编号：7236314
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于存储器CRAM存储元的结构，更具体而言，是一种硫属 相变存储器CRAM存储元。背景技术硫属相变存储器C隨(Chalcogenide-based phase-change RAM), 是以硫属化合物为存储介质，通入电流产生焦耳热使硫属化合物发生可 逆性结构相变，利用其晶态和非晶态之间高达四个数量级的阻抗差来实 现二进制信息存储的半导体随机存取存储器。研究比较成熟的可用于 CRAM的硫属化合物多为Ge2Sb2Te5，简称GST。当外部脉冲电路给以短时...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。