技术编号:7236405
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及形成浮置栅极存储单元的半导体存储器阵列的自对 准方法。本发明还涉及上述类型的浮置栅极存储单元的半导体存储 器阵列。背景技术非易失性半导体存储单元在本领域中是公知的,这种非易失性 半导体存储单元利用浮置栅极将电荷储存在浮置栅极上,并且利用 在半导体村底中形成的非易失性存储单元的存储器阵列。 一 直以来,这些浮置栅极存储单元通常是分裂栅类型或叠栅类型。一直以来,半导体浮置栅^l存储单元阵列的可制造性所面临的 问题之一是各种器件如源极、漏极、控制栅极和...
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