技术编号:7236584
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种硬掩膜层的形成方 法及刻蚀方法。背景技术半导体集成电路芯片的工艺制作利用批量处理技术,在同一硅村底 上形成大量各种类型的复杂器件,并将其互相连接以具有完整的电子功 能。随着超大规模集成电路的迅速发展,芯片的集成度越来越高,元器 件的尺寸越来越小,因器件的高密度、小尺寸引发的各种效应对半导体 工艺制作结果的影响也日益突出。以硬掩膜技术为例,当半导体工艺进入90nm以后,因光刻尺寸越 来越小,常需要在晶片表面形成硬掩膜层配合光...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。