技术编号：7236611
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺中的测试结构，尤其涉及4企测鴒塞化学机械抛光工艺 的测试结构。背景技术CMP (化学机械抛光)用于实现全局平坦化。CMP设备中包括一个固定硅 片的磨头和一个转动的底盘，两者都可施力于硅片，并使之相对旋转，磨头附 近有研磨液(slurry)滴入以完成抛光。研磨液是含有特定微小颗粒的碱性或酸 性溶液。抛光的过程中不断磨去凸起的表面材料，最终实现表面的平坦化。平 坦化与施加的压力、硅片在底盘上的相对运动轨迹、相对转速的机械因素有关， 也和硅片...
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