技术编号：7236674
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及半导体制造工艺中的湿式蚀刻制程，主要涉及一 种用于减少晶片表面缺陷的湿式蚀刻方法，其用于改善湿式蚀刻以及 清洗过程中晶片表面出现的缺陷问题。背景技术在半导体制造工艺中，对其中多晶硅材料的蚀刻是非常关键的一 步。因为多晶硅材料所构成的线条往往是整个工艺中最窄的。在半导体业界常说的0.15微米，0.09微米指的就是多晶硅线条的宽度；为了 达到工艺的要求，蚀刻出标准宽度的多晶硅线条，业界往往采用在多 晶硅表面再生长一层氮氧化硅(SiON)来充当蚀刻...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。