技术编号:7236855
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体集成电路及其制造,具体涉及一种实现存储器功能的场效 应晶体管及其制备方法。背景技术集成电路尤其超大规模集成电路中的主要器件是金属一氧化物一半导体场效应晶体 管(metal oxide semiconductor field effect transistor,简称M0S晶体管)。以MOS 为基础的存储器单元电路中,闪存(Flash)等当今该领域内的主流技术存在操作电压高、 速度慢、耐久力差等问题。随着器件尺寸縮小至90ran以下,闪存表现出...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。