技术编号：7236872
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于磁电阻传感器，特别是提供一种交换偏置型磁电阻传感器元件。 技术背景利用各向异性磁电阻效应(Anisotropic Magnetoresistance， AMR)可制作磁栅尺位移传 感器、磁电子罗盘、速度传感器、电流传感器等等。AMR传感器可用于无接触测量， 而且响应速度快、功耗小、温度稳定性好等。目前常用的AMR传感器主要是Ta/NiFe/Ta薄膜，其优点是灵敏度高，缺点是磁电阻比 值(3%)和饱和场(lOOe)都较小，不适于在较高磁场(100—...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。