技术编号:7236908
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件及集成电路制造,尤其涉及一种 引出亚微米异质结双极型晶体管(Heterojuction Bipolar Transistor, HBT)发射极/高电子迁移率晶体管(High Electronic Mobility Transistor, HEMT)栅的方法。背景技术现代半导体器件制作过程中,随着技术的进步,器件尺寸越来越 小,集成度越来越高。对于化合物半导体器件,在对亚微米HBT发射 极/HEMT栅进行引出时,其寄生的电感和电阻常会造成...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。