技术编号:7236943
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及等离子刻蚀装置,具体地涉及等离子体装置的排气环。 背景技术对于等离子体装置来说,反应腔室内等离子体气流分布的均匀性,直接 影响晶片的加工质量。比如说,等离子体刻蚀装置用于加工制造微电子芯片, 进而形成微电子电路。目前一般刻蚀装置采用干法刻蚀。干法刻蚀需要在刻 蚀装置反应腔室上部介质窗施加射频,从而使得进入反应腔室的工艺气体激 发形成等离子体,对半导体晶片进行刻蚀加工。反应腔室的组成材料一般为 经过表面处理(如阳极氧化处理)的铝材,但仍然会与工艺气...
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