技术编号:7237155
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置的制造方法,特别涉及一种去除氧化物-氮化物 -氧化物层的方法。背景技术在闪存的制造过程中,在蚀刻的时候,由于底部多晶介电质的侧部的氧化物-氮化物-氧化物(ONO)不容易被清除干净,这样很容易形成ONO围篱(ONO Fence),如图1所示,由于有ONO Fence的存在,会对底部的多晶介电质产生 一种保护,从而产生多晶介电质残留。多晶介电质残留会严重影响产品的合格 率。发明内容本发明提出了一种移除氧化物-氮化物-氧化物层的方法,以便...
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