技术编号:7237232
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种集成电路且特别涉及一种半导体元件。 背景技术金属氧化物半导体元件是一种应用非常广泛的半导体元件。当元件曰益 缩小时,随之缩短的沟道长度会加快金属氧化物半导体晶体管的操作速度,但因沟道缩短而衍生的短沟道效应(Short Channel Effect)也会日益严重。 根据电场=电压/长度的公式,若施加的电压不变,而晶体管的沟道长度缩短, 则沟道内电子的能量将会通过电场加速而提升,进而使得电击穿(Electrical Breakdown)的情形增加...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。