技术编号：7237387
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性半导体存储器件，尤其涉及对MONOS (Metal Oxide Nitride Oxide Semiconductor)型存储单元的高可靠度、 高速动作有效的技术。背景技术作为集成于LSI中的集成半导体存储器之一有非易失性存储器。 这种元件即使切断LSI的电源也能保留存储信息，其广泛用于各种应 用当中，因此成为极为重要的元件。在非易失性存储器中能够利用各 种方法存储信息，利用电子、空穴的电荷积蓄量来存储信息的方式的 非易失性存储器，众所周...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。