技术编号:7237638
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于碳化硅(SiC)半导体的清洗方法和用于SiC半导体的清洗设备。 更具体地,本发明涉及用于具有氧化物膜的半导体器件的SiC半导体的清洗方法和SiC半导体的清洗设备。背景技术传统上,在半导体器件的制造方法中,执行清洗来移除粘附到前表面的物质。这样的清洗方法的示例包括在日本专利特开No. 6-314679 (专利文献1)和4-354334 (专利文献 2)中公开的技术。如下所述执行专利文献1中公开的半导体衬底的清洗方法。首先,利用包含臭氧的超纯水来...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。