技术编号：7237727
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及的是一种降低硅LDMOS器件寄生双极晶体管负阻效应，并适用 于硅LDMOS器件的研制与生产的无负阻LDMOS器件结构，属于半导体微电子设 计制造。技术背景与硅双极器件相比，硅LDMOS器件具有输出功率大、线性好，失真小，热 稳定性好等显著优点，因此大量应用于数字电视，医疗诊断器械，移动通讯 等领域，特别是移动通讯领域，硅微波LDMOS功率器件是其基站所用微波功 率器件的首选产品。 一般认为L固OS器件不向双极器件那样具有负阻效应， 但实际上源区-...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。