技术编号：7237810
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件，且特别涉及一种用于形成器件的金属布线 的方法，该方法能够有效防止在金属布线工艺的后续退火工艺中出现的小丘 现象(hillock phenomenon)。背景技术半导体技术的方案已集中于用于各种用途、具有增强存储容量的高速半 导体器件。为取得这样的性能，已开发出集成度、反应速度和金属布线工艺 得到改进的半导体器件。金属布线工艺可能需要通过将硅之上和/或上方的半导体集成电路中的 各个晶体管互连，来实现构成电路的供电路径和信号传送路径。...
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