技术编号:7237811
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。 背景技术大部分互补金属氧化物半导体(CMOS)器件包括由多晶硅形成的栅极。 如果栅极由多晶硅形成,则不管它们大小如何,都不可避免地形成耗尽层。 当半导体器件的集成度不高时,可以形成相对较大的多晶硅栅极。因此,即 使形成耗尽层,也可以忽略电特性的降低。然而,随着半导体器件的高度集成,栅极大小也进一步縮小,从而使得 在栅极中形成的耗尽层的影响相对较大。耗尽层是使半导体器件的性能降低 的一个因素。也就是说,耗尽层被认为是在使用多晶硅的半导体器件中的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。