技术编号：7238051
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。类似的半导体异质结构例如被用于通过分裂施主晶片(donor wafer)将顶层或者顶层与非渐变层的一部分转移到支撑晶片(handle wafer)上。背景技术施主晶片的基本结构可从美国专利5,442,205 了解到，其公开了含 有应变半导体层的半导体异质结构。该异质结构包括位于硅衬底之上 的硅或者锗的应变外延层、介于硅衬底和应变层之间的空间渐变的 G&Sik外延层以及覆盖在它上面的非渐变G^Si^o层。该异质结构可 作为表面发光二极...
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