技术编号:7238054
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置。背景技术目前,在III-V族化合物半导体薄膜生长时,使用例如锌(Zn)作 为p型掺杂物。这时,在p型杂质的浓度为例如lxl(^cm—s左右或以 上的高浓度的情况下,存在着发生p型杂质Zn的异常扩散的问题。在专利文献1 5中,指出了上述问题,并记载了通过使用铍(Be) 或碳(C)作为p型的掺杂物来解决上述问题的要旨。专利文献1日本国特许第3224057号公报专利文献2日本国特许第2646966号公报专利文献3日本国特许第2761264号...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。